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IMX1T110 Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6SMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SMT6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 180MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IMX1T108 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 11950
IMX1T108 ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
IMX1T110 ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren

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