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MP6M14TCR Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package MPT6
Power - Max 2W
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.3nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate, 4V Drive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A, 6A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MP6M11TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2704
MP6M11TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
MP6M12TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2501
MP6M12TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
MP6M14TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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