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MTZJT-779.1B Technische Spezifikationen
DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Einzeln |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerance | ±3% |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | DO-204AG, DO-34, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 6V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Supplier Device Package | MSD |
Packaging | Tape & Box (TB) |
Operating Temperature | - |
Impedance (Max) (Zzt) | 20 Ohm |
MTZJT-779.1B Unterlagen
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'MTZJT'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
MTZJT-7210C | LAPIS Semiconductor | Dioden - Zener - Einzeln | 2573 |
MTZJT-7211B | LAPIS Semiconductor | Dioden - Zener - Einzeln | 2707 |
MTZJT-7211C | LAPIS Semiconductor | Dioden - Zener - Einzeln | 2637 |
MTZJT-7212B | LAPIS Semiconductor | Dioden - Zener - Einzeln | 30500 |
MTZJT-7212B/12V | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 30000 |
MTZJT-7212C | LAPIS Semiconductor | Dioden - Zener - Einzeln | 105000 |
MTZJT-7213B | LAPIS Semiconductor | Dioden - Zener - Einzeln | 18300 |
MTZJT-7213B/13V | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 20000 |
MTZJT-7213C | LAPIS Semiconductor | Dioden - Zener - Einzeln | 2523 |
MTZJT-7215B | LAPIS Semiconductor | Dioden - Zener - Einzeln | 5471 |
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