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R5007FNX Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 7A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 3.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220FM
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
R5007ANJ ROHM Spezialisierte heiße ICs 13008
R5007ANJ FU7TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 8302
R5007ANJTL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2656
R5007ANX LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 7208
R5007ANX FU7 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1198
R5007ANX FU9CF66 ROHM Spezialisierte heiße ICs 2655

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