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R5011FNJTL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package LPTS
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case SC-83
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
R5011010XXWA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2532
R5011015XXWA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 0
R5011210XXWA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2575
R5011215XXWA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2619
R5011410XXWA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2644
R5011415XXWA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2783
R5011415XXZT Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2784
R5011610XXWA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2717
R5011615XXWA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2796
R5011ANJTL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2711

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R5011FNJTL Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, R5011FNJTL Referenzpreis. R5011FNJTL Parameter, R5011FNJTL Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden R5011FNJTL Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden R5011FNJTL Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, R5011FNJTL Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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