R5205CNDTL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package CPT3
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 525V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
R5205AND ROHM Spezialisierte heiße ICs 3000
R5205CND LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2805
R5205CND D01TL LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2742
R5205CND FU7TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 3210
R5205CND TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 2540

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