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R5207ANDTL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package CPT3
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 525V
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