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R6009KNJTL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 535 mOhm @ 2.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-263
Power Dissipation (Max) 94W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
R6009-00 Harwin Brettunterstützungen 2692
R6009-00 Harwin Inc. Vorstandsunterstützung
R6009ENJTL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2608
R6009ENX LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 781
R6009ENX C7 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3842
R6009ENX MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 733
R6009KNX LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1091

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