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R6012ANJTL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package LPTS
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case SC-83
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
R6012025XXYA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2534
R6012025XXYA Powerex Inc. Einphasen-Diodengleichrichter
R6012030XXYA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2590
R6012225XXYA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2523
R6012425XXYA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2638
R6012425XXYA Powerex Inc. Einphasen-Diodengleichrichter
R6012625XXYA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2772
R6012625XXYA Powerex Inc. Einphasen-Diodengleichrichter
R6012630YA POWEREX IGBT-Module 2732
R6012ANX LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 512

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