R6015KNZC8 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 15A TO3P-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290 mOhm @ 6.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-3PF
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27.5nC @ 10V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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R6015ANJTL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2715
R6015ANX LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2761
R6015ANZ ROHM Spezialisierte heiße ICs 1371
R6015ANZC8 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2562
R6015ENJTL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2757
R6015ENX LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 34301
R6015ENZ LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3970
R6015ENZC8 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2779
R6015FNJTL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2692
R6015FNX LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10742

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