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R6030ENZ1C9 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 14.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247
Power Dissipation (Max) 120W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
R6030222PSYA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2771
R6030225HSYA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2680
R6030225HSYA Powerex Inc. Einphasen-Diodengleichrichter
R6030235ESYA Powerex, Inc. Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2779
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R6030425HSYA Powerex Inc. Einphasen-Diodengleichrichter
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