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RAL035P01TCR Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Supplier Device Package TUMT6
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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RAL035P01 TCR ROHM Spezialisierte heiße ICs 12500
RAL035P01 TCR IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3332

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