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RCJ081N20TL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 8A LPT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.25V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 770 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package LPTS (SC-83)
Power Dissipation (Max) 1.56W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case SC-83
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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