RD3P175SNTL1 Technische Spezifikationen

NCH 100V 17.5A POWER MOSFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 8.8A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names RD3P175SNTL1CT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 17.5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount TO-252
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A (Ta)
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RD3P100SNTL1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2538
RD3P130SPFRATL LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 21416
RD3P130SPTL1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2612
RD3P130SPTL1 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2901

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