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RE1C002ZPTL Technische Spezifikationen

1.2V DRIVE PCH MOSFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 115pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package SOT-416
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case SC-75, SOT-416
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RE1C001UN ROHM Spezialisierte heiße ICs 9010
RE1C001UN TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 12375
RE1C001UNTCL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1308
RE1C001UNTCL ROHM Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
RE1C001UNTCL IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 21217
RE1C001ZP LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
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RE1C001ZPTL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 36448
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