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RFN10B3STL Technische Spezifikationen

DIODE GEN PURP 350V 10A CPD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 10A
Supplier Device Package CPD
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 350V
Capacitance @ Vr, F -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 350V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 10A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RFN10B3S ROHM Spezialisierte heiße ICs 23678
RFN10BM3S LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2500
RFN10BM3SFHTL LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2743
RFN10BM3SFHTL ROHM Semiconductor Einphasen-Diodengleichrichter
RFN10BM3STL LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2892
RFN10BM6SFHTL LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2500
RFN10BP3S ROHM Spezialisierte heiße ICs 2950
RFN10BP3S TRR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3370
RFN10NS3S ROHM Spezialisierte heiße ICs 4800
RFN10NS3S TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 2693

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