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RGTH50TS65DGC11 Technische Spezifikationen

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 25A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 58ns
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 49nC
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
Td (on/off) @ 25°C 27ns/94ns
Supplier Device Package TO-247N
Power - Max 174W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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RGTH50TS65DGC11 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, RGTH50TS65DGC11 Referenzpreis. RGTH50TS65DGC11 Parameter, RGTH50TS65DGC11 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RGTH50TS65DGC11 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RGTH50TS65DGC11 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RGTH50TS65DGC11 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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