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RGTH60TS65GC11 Technische Spezifikationen

IGBT 650V 58A 197W TO-247N

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy -
Power - Max 197W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 27ns/105ns
Supplier Device Package TO-247N
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 58nC
Current - Collector (Ic) (Max) 58A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RGTH60TK65DGC11 ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs
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RGTH60TS65D LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 670
RGTH60TS65D IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 478
RGTH60TS65DG LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 860
RGTH60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 746
RGTH60TS65DGC11 ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs
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