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RP1E125XNTR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package MPT6
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.7nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 12.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RP1E100RN LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1451
RP1E100RNFPFT LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1000
RP1E100RNFPFTR ROHM Spezialisierte heiße ICs 1798
RP1E100RP LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1139
RP1E100RP TR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1299
RP1E100RPTR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1310
RP1E100XN LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 40
RP1E100XNTR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2691

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