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RQ5E035BNTCL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TSMT3
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case SC-96
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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