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RQ6E085BNTCR Technische Spezifikationen

NCH 30V 8.5A MIDDLE POWER MOSFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.4 mOhm @ 8.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1350pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-457
Power Dissipation (Max) 1.25W (Tc)
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.7nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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RQ6E085BNTCR Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, RQ6E085BNTCR Referenzpreis. RQ6E085BNTCR Parameter, RQ6E085BNTCR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RQ6E085BNTCR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RQ6E085BNTCR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RQ6E085BNTCR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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