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RRL025P03TR Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 2.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TUMT6
Power Dissipation (Max) 320mW (Ta)
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RRL025P03 R Spezialisierte heiße ICs 3312
RRL025P03 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 18882
RRL025P03 TCR ROHM Spezialisierte heiße ICs 12288
RRL025P03 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 5703
RRL025P03FRA LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 65000
RRL025P03FRATR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2774

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