RRS070N03TB1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) -
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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RRS070N03-TB R Spezialisierte heiße ICs 17585
RRS070N03-TB MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 17979
RRS075P03 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1357
RRS075P03FD5TB1 ROHM Spezialisierte heiße ICs 2158
RRS075P03GTB1 ROHM Spezialisierte heiße ICs 697
RRS075P03GTB1 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2982
RRS075P03TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 583
RRS075P03TB1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2721

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