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RSH065N03TB1 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RSH065N03 TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 2500
RSH065N03TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 19074
RSH065N03TB MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 19434
RSH065N06 ROHM Spezialisierte heiße ICs 52500
RSH065N06GZETB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2500
RSH065N06GZETB MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2833
RSH065N06TB R Spezialisierte heiße ICs 38578
RSH065N06TB1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 36704

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