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RSJ400N10TL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 40A LPTS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package LPTS (SC-83)
Power Dissipation (Max) 1.35W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case SC-83
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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RSJ400N06 ROHOM Spezialisierte heiße ICs 1052
RSJ400N06 TL ROHOM Spezialisierte heiße ICs 2354
RSJ400N06FRA LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 50400
RSJ400N06FRATL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2616
RSJ400N06TL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10448

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