RSM002N06T2L Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 0.25A VMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package VMT3
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Package / Case SOT-723
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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RSM00-12-14P Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2568
RSM00-12-14P [V003] Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2630
RSM00-12-14S Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2716
RSM00-12-25P [V003] Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2547
RSM00-19-33P Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2686
RSM00-19-33P-6026 Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2673
RSM00-19-33P-6026 [V003] Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2728
RSM00-19-33PY Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2535
RSM00-19-33S Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2750
RSM00-19-33S-395 Agastat Relays / TE Connectivity Rundsteckverbinder 2609

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