RSR010N10TL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 1A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TSMT3
Power Dissipation (Max) 540mW (Ta)
Package / Case SC-96
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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