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RSR020N06TL Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 2A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TSMT3
Power Dissipation (Max) 540mW (Ta)
Package / Case SC-96
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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RSR020N06 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3420
RSR020N06 TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 25298
RSR020N06FRA ROHM Spezialisierte heiße ICs 18268
RSR020P03 ROHM Spezialisierte heiße ICs 71660
RSR020P03 TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 9600
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RSR020P03TL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 22783
RSR020P03TL ROHM Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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