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RSS090P03TB Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4000pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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RSS090 IC Spezialisierte heiße ICs 785
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RSS090N03 ROHM Spezialisierte heiße ICs 20944
RSS090N03 TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 4872
RSS090N03-TB R Spezialisierte heiße ICs 16258
RSS090N03-TB. ROHM Spezialisierte heiße ICs 2667
RSS090N03-TBB ROHM Spezialisierte heiße ICs 2445
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RSS090N03FRA ROHM Spezialisierte heiße ICs 3500
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