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RSU002N06T106 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 0.25A UMT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package UMT3
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RSU002N06 ROHM Spezialisierte heiße ICs 11745
RSU002N06 T106 ROHM Spezialisierte heiße ICs 6646
RSU002N06 T106 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 54202
RSU002N06FHZT106 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3058
RSU002N06GZT106 ROHM Spezialisierte heiße ICs 5126
RSU002N06T106 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 18954
RSU002P03 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3466
RSU002P03 T106 ROHM Spezialisierte heiße ICs 5400
RSU002P03F ROHM Spezialisierte heiße ICs 9401
RSU002P03T106 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5309

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