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RTQ020N05TR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Power Dissipation (Max) 600mW (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 45V
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