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RUS100N02TB Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 10A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package 8-SOP
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RUS100 Ohmite Drehpotentiometer, Rheostate 2674
RUS100E Ohmite Drehpotentiometer, Rheostate 2701
RUS100N02 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 80373
RUS100N02TB MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 19072
RUS10R Ohmite Drehpotentiometer, Rheostate 2690
RUS10RE Ohmite Drehpotentiometer, Rheostate 2569

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