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RV1C001ZPT2L Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package VML0806
Power Dissipation (Max) 100mW (Ta)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RV1C001ZP LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
RV1C001ZP T2L ROHM Spezialisierte heiße ICs 6983
RV1C001ZPT2L ROHM Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
RV1C002UN LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 461
RV1C002UN T2CL ROHM Spezialisierte heiße ICs 126251
RV1C002UNT2CL LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 918736
RV1C002UNT2CL IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 7739
RV1C002UNT2CL MOSFETIGBTIC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 184303

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