RZQ050P01TR Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2850pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Power Dissipation (Max) 600mW (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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RZQ050P01 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1522
RZQ050P01 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 12627
RZQ050P01MGMTR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 10342
RZQ050P01T146 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 33000
RZQ050P01TR ROHM Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
RZQ050P01TR MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 18812

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