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SCT2120AFC Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 3.3mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 10A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 500V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -6V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SCT2160KEC ROHM Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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