SCT2450KEC Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 900µA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 585 mOhm @ 3A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 463pF @ 800V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -6V
Supplier Device Package TO-247
Power Dissipation (Max) 85W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SCT2400EVM CML Microcircuits RF-Platinen
SCT2400HDA CML Microcircuits RF-Transceiver-Module
SCT2430STER SCT Spezialisierte heiße ICs 6223
SCT2450KE ROHM Spezialisierte heiße ICs 2557
SCT2450KEC ROHM Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
SCT2450STER SCT Spezialisierte heiße ICs 6381

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