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SCT3022ALGC11 Technische Spezifikationen

MOSFET NCH 650V 93A TO247N

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 18.2mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.6 mOhm @ 36A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2208pF @ 500V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -4V
Supplier Device Package TO-247N
Power Dissipation (Max) 339W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 133nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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SCT3022ALGC11 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, SCT3022ALGC11 Referenzpreis. SCT3022ALGC11 Parameter, SCT3022ALGC11 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SCT3022ALGC11 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SCT3022ALGC11 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SCT3022ALGC11 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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