SP8J66TB1 Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max -
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A
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SP8J62-TB R Spezialisierte heiße ICs 18578
SP8J62TB1 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1133
SP8J65-TB VB Spezialisierte heiße ICs 18985
SP8J65TB1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2775
SP8J65TB1 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SP8J66 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3115
SP8J66-TB R Spezialisierte heiße ICs 10314
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SP8J66FRATB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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