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SP8M7TB Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 51 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A, 7A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SP8M7 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3527
SP8M7-TB R Spezialisierte heiße ICs 10556
SP8M7-TB MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 18055
SP8M70TB1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 60048
SP8M70TB1 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SP8M70TB1 MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 10287
SP8M7FU6TB LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2691
SP8M7FU6TB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
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