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TT8J11TCR Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 6V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-TSST
Power - Max 650mW
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TT8J1 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2278
TT8J11 ROHM Spezialisierte heiße ICs 859
TT8J11 FU7TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1875
TT8J11 TCR ROHM Spezialisierte heiße ICs 18000
TT8J11FU7TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1689
TT8J11TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
TT8J13 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
TT8J13TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2605
TT8J13TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
TT8J1FU7TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 2760

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