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TT8M1TR Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-TSST
Power - Max 1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TT8M1 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
TT8M1 TR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6000
TT8M1TR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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