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UMB10NFHATN Technische Spezifikationen
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Transistor Type | 2 PNP Pre-Biased (Dual) |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | UMB10NFHATNTR |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 7 Weeks |
Frequency - Transition | 250MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | UMT6 |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6 |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
UMB10NFHATN Unterlagen
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-
Datenblätter
2.UMB10NFHATN.pdf 1.UMB10NFHATN.pdf
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Die folgenden Teile umfassen 'UMB10'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
UMB10 | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 177362 |
UMB10 N TN | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 3283 |
UMB10F | TRR | Spezialisierte heiße ICs | 1000430 |
UMB10N | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 3203 |
UMB10NFHATN | ROHM Semiconductor | Arrays BJT-Transistoren | |
UMB10NTN | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 1423 |
UMB10NTN | ROHM Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
UMB10NTN IC | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 1012 |
UMB10NTR | ROHMNMX | Spezialisierte heiße ICs | 54000 |
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