UMB10NFHATN Technische Spezifikationen

PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Transistor Type 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Series Automotive, AEC-Q101
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names UMB10NFHATNTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package UMT6
Power - Max 150mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP Pre-Biased (Dual) 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Current - Collector Cutoff (Max) -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMB10 ROHM Spezialisierte heiße ICs 177362
UMB10 N TN ROHM Spezialisierte heiße ICs 3283
UMB10F TRR Spezialisierte heiße ICs 1000430
UMB10N ROHM Spezialisierte heiße ICs 3203
UMB10NFHATN ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
UMB10NTN LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 1423
UMB10NTN ROHM Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
UMB10NTN IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1012
UMB10NTR ROHMNMX Spezialisierte heiße ICs 54000

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