UMH3NFHATN Technische Spezifikationen

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Series Automotive, AEC-Q101
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names UMH3NFHATNCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package UMT6
Power - Max 150mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMH3N Original Spezialisierte heiße ICs 5312
UMH3N H3 Original Spezialisierte heiße ICs 15000
UMH3NFHA LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
UMH3NFHATN ROHM Semiconductor Arrays BJT-Transistoren
UMH3NH3 CJ Spezialisierte heiße ICs 3000
UMH3NTN LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 3435
UMH3NTN ROHM Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
UMH3NTR ROHM Spezialisierte heiße ICs 6438

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