US5U3TR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) 12V
Supplier Device Package TUMT5
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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US5U3 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3958
US5U3 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 90240
US5U3 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 90000
US5U30 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1708
US5U30 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3219
US5U30TR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1564
US5U35 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1209
US5U35TR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2483
US5U38 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3698
US5U38TR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5443

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