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US6J11TR Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package UMT6
Power - Max 320mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
US6J11 ROHM Spezialisierte heiße ICs 3793
US6J11 TCR ROHM Spezialisierte heiße ICs 12812
US6J11 TR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3312
US6J11TR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
US6J11TR IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 618
US6J11TR MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 12459
US6J12 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 65000
US6J12 TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3000
US6J12TCR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3335
US6J12TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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