US6K1TR Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package TUMT6
Power - Max 1W
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
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US6K1 R Spezialisierte heiße ICs 3573
US6K1 TCR ROHM Spezialisierte heiße ICs 12121
US6K1 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 4046
US6K1TR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
US6K1TR MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6243

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