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US6X4TR Technische Spezifikationen

TRANS NPN 30V 2A TUMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 400mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 75mA, 1.5A
Supplier Device Package UMT6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 280MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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US6X4TR ROHM Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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