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VT6K1T2CR Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7.1pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package VMT6
Power - Max 120mW
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate, 1.2V Drive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
VT6K1T2CR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
VT6K1T2CR MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 16376

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