LND150N3-G-P013 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Micrel / Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-92-3
Power Dissipation (Max) 740mW (Ta)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30mA (Tj)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1000 Ohm @ 500µA, 0V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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