DTC123JUA-TP Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Micro Commercial Components (MCC)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SOT-323
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTC123-JS ROHM Spezialisierte heiße ICs 605
DTC123ECA T116 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 600282
DTC123ECAHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2653
DTC123ECAHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123ECAT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2693
DTC123ECAT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EE ROHM Spezialisierte heiße ICs 3294
DTC123EE TL ROHM Spezialisierte heiße ICs 29427
DTC123EEBTL ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTC123EET1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 30000

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